SK Hynix plánuje 600vrstvé 3D NAND Flash i DRAM tvořené technologií EUV

Zástupci firmy SK Hynix včetně svého výkonného ředitele (Seok-Hee Lee) nedávno promluvili na akci IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), kde nastínili i svou vizi, o čemž nyní vznikla tisková zpráva se zajímavými informacemi. Ty napoví, kam se bude ubírat vývoj dnes známých typů pamětí, pokud jde o středně a dlouhodobý výhled. 

 

 

Vedení firmy SK Hynix je přesvědčeno, že může dále pracovat na vývoji pamětí 3D NAND Flash a postupně zvyšovat jejich kapacitu dalším růstem počtu vrstev. Dnes jsme cca na 150 v případě nejpokročilejších pamětí a zde se mluvilo konkrétně o 600 vrstvách, čili to ještě nějaký ten rok potrvá, než se k nim výrobci dostanou. Seok-Hee Lee také potvrdil, že vidí cestu pro výrobu pamětí DRAM pomocí procesů pod 10 nm a s využitím extrémní ultrafialové litografie (EUVL). 

 

Paměti typu 3D NAND Flash se tak opravdu nechystají zmizet ze scény a naopak je čeká ještě dlouhý vývoj. Samotná společnost SK Hynix již představila své verze tvořené 176 vrstvami, které označuje za 4D NAND Flash vzhledem k využití designu Periphery under Cell. Tyto paměti ještě nejsou na trhu v konečných produktech, ale SK Hynix již začal dodávat jejich vzorky s kapacitou 512 Gb výrobcům SSD kontrolerů a s hotovými SSD máme prý počítat až někdy v příštím roce. 

 

SK Hynix tak trošku poupravuje své vyhlídky na vývoj 3D NAND Flash, v jejichž případě dříve mínila, že by se snad daly vyrábět verze s cca 500 vrstvami. Nyní je přesvědčena, že zvládne i 600 vrstev, které ale budou muset být celkově tenčí a využít se budou muset nové dielektrické materiály, aby se zajistila uniformita elektrických nábojů uložených v buňkách, čili i výsledná spolehlivost. K tomu chce konkrétně využít technologii HARC (High Aspect Ratio (A/R) Contact) a pak bude nejspíše nutné na sebe začít vrstvit dokonce i celé wafery. Firma ale ještě nebyla připravena sdělit. kdy by asi tak mohly být 600vrstvé paměti poprvé vyrobeny a jakou paměťovou hustotu by mohly mít. 

 

 

Pokud jde o paměti DRAM, je dle SK Hynix čeká adopce EUV litografie jako nejsnazší cesta k navyšování výkonu i kapacity. Dnes se do světa PC chystají vstoupit paměti DDR5, jichž se ale EUVL ještě nemusí týkat, ostatně ta je nově používána pro vysoce složité logické čipy a paměti jsou za takovými tradičně s ohledem na výrobní technologie pozadu. 

 

Pro využití EUVL ve výrobě pamětí DRAM firma SK Hynix aktuálně vyvíjí nové materiály včetně těch fotorezistivních a chystá se přepracovat strukturu paměťových buněk, aby lépe odpovídala právě novým výrobním procesům a materiálům s vysokou dielektrickou konstantou. Dokonce se dozvídáme, že SK Hynix chce měnit materiály využívané pro spoje mezi tranzistory, v jejichž případě chce snížit odpor, což třeba Intel vyřešil přechodem z wolframu na kobalt. 

 

To vše směřuje k jedinému, a sice k dalšímu zmenšování prvků tvořících paměti a díky EUVL mohou být tranzistory celkově menší, úspornější a výkonnější, což odpovídá i tomu, že se může objevit problém v příliš vysokém odporu rovněž menších spojů.